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    IPB029N06N3 Gn:

    产品:功率MOSFET

    库存:394 Pcs [库存更新时间:2024-05-29]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码IPB029N06N3 Gn:
    说明功率MOSFET   10mm
    起订量0
    最小包0
    现货394 [库存更新时间:2024-05-29]
    典型关闭延迟时间62 ns
    零件号别名IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GXT SP000453052
    配置Single
    通道数量1Channel
    漏源极电压Vds60V
    连续漏极电流Id120A
    Rds On(Max)@Id,Vgs2.3mΩ
    栅极电压Vgs20V
    Qg-栅极电荷165nC
    Pd-功率耗散(Max)188W
    高度4.4mm
    长度10mm
    系列OptiMOS3
    FET类型N-Channel
    宽度9.25mm
    正向跨导 - 最小值75S
    下降时间20ns
    上升时间120ns
    典型接通延迟时间35ns
    工作温度-55°C~175°C

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